Intel宣告，ASML第一批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机现已在其工厂投入出产

　　Intel资深首席工程师Steve Carson表明，Intel运用先进光刻机已在一季内出产3万片晶圆，这些晶圆可以产出数千颗核算芯片。

　　这两台光刻机是现在国际上最先进的光刻机，可以比之前的阿斯麦光刻机出产出更小、更快的核算芯片。

　　上一年，Intel成为了全球首家接纳这些光刻机的芯片制造商。此举是Intel的战略改变，该公司在选用上一代极紫外 （EUV） 光刻机方面落后于竞争对手。

　　Intel花了七年时刻才将之前的机器全面投入出产，导致其身先士卒的优势被台积电逾越。 在出产初期，Intel曾因从前那些EUV机型的牢靠性问题而遇到波折。

　　不过Carson表明，ASML的高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机在开始测验中的牢靠性大约是前一代机器的两倍，“咱们能以共同速度出产晶圆，这对渠道是一大帮忙”。

　　一起，新的光刻机能以更少曝光次数完结与前期设备相同的作业，然后节省机遇和本钱。 Carson指出，Intel工厂的前期成果为，高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机只需求一次曝光和个位数的处理过程，就可以完结前期机器需求三次曝光和约40个处理过程的作业。

　　上一年2月份，ASML初次在其荷兰总部向媒体揭露展现了最新一代的High NA EUV光刻机。

　　据悉，一套High NA EUV光刻机的巨细等同于一台双层巴士，分量更高达150吨，拼装起来比货车还大，需求被分装在250个独自的板条箱中进行运送。

　　依据爆料显现，High NA EUV的价格高达3.5亿欧元一台，约合人民币27亿元，它将成为全国际三大晶圆制造厂完成2nm以下先进制程大规模量产的必备兵器。

　　揭露材料显现，NA数值孔径是光刻机光学系统的重要目标，直接决议了光刻的实践分辨率，以及最高能到达的工艺节点。

　　一般来说，金属距离缩小到30nm以下之后，也便是对应的工艺节点逾越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只可以运用EUV两层曝光或曝光成形(pattern shaping)技能来辅佐。

　　Intel表明，方案运用High NA EUV光刻机来帮忙开发其18A制程，该技能估计本年稍晚时跟着新一代PC芯片进入量产。

　　此外，Intel方案鄙人一代14A制程中全面导入这款设备，但没有发布该技能量产时刻。