新华社成都11月29日电（记者 董瑞丰、吴晓颖）国家严重科研配备研制项目“超分辩光刻配备研制”29日经过检验。该光刻机由中国科学院光电技能研讨所研制，光刻分辩力到达22纳米，结合两层曝光技能后，未来还可用来制作10纳米级其他芯片。

　　中科院理化技能研讨所许祖彦院士等检验组专家共同表明，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线纳米。项目在原理上打破分辩力衍射极限，建立了一条高分辩、大面积的纳米光刻配备研制新道路，绕过国外相关知识产权壁垒。

　　光刻机是制作芯片的中心配备，我国在这一范畴长时间落后。它选用相似相片冲印的技能，把母版上的精密图形经过曝光转移至硅片上，一般来说，光刻分辩力越高，加工的芯片集成度也就越高。但传统光刻技能因为遭到光学衍射效应的影响，分辩力进一步提高遭到很大约束。

　　为取得更高分辩力，传统上选用缩短光波、添加成像体系数值孔径等技能途径来改善光刻机，但技能难度极高，配备本钱也极高。

　　项目副总设计师胡松介绍，中科院光电所此次经过检验的外表等离子体超分辩光刻配备，打破了传统道路格式，构成一条全新的纳米光学光刻技能道路，具有彻底自主知识产权，为超资料/超外表、第三代光学器材、广义芯片等革新性范畴的跨越式开展供给了制作东西。

　　据了解，这种超分辩光刻配备制作的相关器材已在中国航天科技集团公司第八研讨院、电子科技大学、四川大学华西医院、中科院微体系所等多家科研院所和高校的严重研讨使命中得到使用。

　　中科院理化技能研讨所许祖彦院士等检验组专家共同表明，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线纳米。项目在原理上打破分辩力衍射极限，建立了一条高分辩、大面积的纳米光刻配备研制新道路，绕过国外相关知识产权壁垒。