英特尔在 ITF World 2023 会议初次向大众介绍选用的堆叠式 CFET 晶体管架构-亚洲ca88官方网站

  5月24日讯：据 ITF World 2023 会议上的陈述，英特尔技能开发总经理 Ann Kelleher 介绍了英特尔在要害范畴的最新进展。其中之一就是介绍英特尔未来将选用的堆叠式 CFET 晶体管架构。这是英特尔初次向大众介绍这种新式晶体管规划，英特尔在会上概述了其晶体管技能的大约开展途径，即依照“Planar FET 平面场效应管”、“FinFET 鳍式场效应管（当时干流）”、“RibbonFET 全盘绕栅极场效应管”、“CFET 堆叠式场效应管”次序演进开展，但没有提及详细的量产日期或时间表。

  英特尔的 GAA 规划堆叠式 CFET 晶体管架构是在 imec 的协助下开发的，规划旨在添加晶体管密度，经过将 n 和 p 两种 MOS 器材彼此堆叠在一起，并答应堆叠 8 个纳米片（RibbonFET 运用的 4 个纳米片的两倍）来完成更高的密度。现在，英特尔正在研讨两种类型的 CFET，包含单片式和次序式，但没有确认终究选用哪一种，或许是否还会有其他类型的规划呈现，未来应该会有更多细节信息发布。

  此前在 2021 年的“英特尔加快立异：制程工艺和封装技能线上发布会”上，英特尔现已确认了 RibbonFET 将成前史，在其 20A 工艺上，将引进选用 Gate All Around（GAA）规划的 RibbonFET 晶体管架构，以替代自 2011 年推出的 FinFET 晶体管架构。新技能将加快了晶体管开关速度，一起完成与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

  值得注意的是，英特尔的路线图及其 CFET 架构并不是独立提出的，而是与 IMEC 组织长时间协作的成果。IT之家注：IMEC 全称为“Interuniversity Microelectronics Centre”微电子研讨中心，是与台积电、ASML 齐名的芯片职业重要组织，这家组织联合了例如英特尔、台积电、三星与 ASML、使用资料、Cadence 和 Synopsys 此类的半导体规划软件（EDA）公司，致力于进行未来半导体技能的研讨。

  原标题：英特尔展现新堆叠式 CFET 晶体管架构，选用下一代 GAA 技能规划